- 單管輸出功率高達300W
- 支持高峰值對均值功率比
- 支持高數據傳輸速率規格
- 開放式共振腔陶瓷封裝
- 無鉛并符合ROHS規格
- 可供設計寬頻無線網絡基站
- 有助于設計Doherty放大器
- 應用在WCDMA信號設備
英飛凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一，其前身是西門子集團的半導體部門。在中國，英飛凌先進的半導體解決方案已廣泛應用于各個領域，該公司憑借其雄厚的技術實力和全球領先的經驗，與包括中興、華為、方正、握奇等國內領先廠商展開深入合作，為中國電子行業的騰飛做出應有的貢獻。
在LDMOS (橫向擴散金屬氧化物半導體)晶體管方面，英飛凌立足于最先進的LDMOS工藝技術和改善散熱性能的封裝，這家公司可制造門類齊全的RF功率晶體管和芯片產品，全面支持所有主要的無線通信和廣播頻段。先進的LDMOS工藝以及全自動RF組裝和測試生產線，確保其產品具有業內領先的性能和質量。目前，包括愛立信、華為和中興在內的不少知名的無線網絡設備商都在大批采用英飛凌的LDMOS管。
PTFB系列LDMOS晶體管是英飛凌全新推出的可供設計寬頻無線網絡基站的高功率LDMOS晶體管系列產品，新型晶體管的單管輸出功率高達300W，完全支持由3G發展為4G無線網絡所需的高峰值對均值功率比(peak to average Power raTIo)以及高數據傳輸速率規格。PTFB系列系列產品所提供的高增益及高功率密度，主要應用在1.4-2.6GHz頻帶中。如此將可使用體積減少30%的器件，設計更小型且成本更低的功率放大器。高峰值功率非常有助于設計Doherty放大器，以及減少其它架構中的零件數量。
新型PTFB系列晶體管皆采用開放式共振腔(open-cavity)陶瓷封裝，供螺栓式(bolt- down)或無耳式(earless)安裝。這些產品皆無鉛并符合ROHS規格，非常適合應用在WCDMA信號設備上，能夠為設備提供出更高的增益和效率，還可大幅度提升最新MCPA(多載波功率放大器)和數字預失真系統的性能，可以滿足高級通信業務的移動網絡運營商的要求。該系列的產品現已投產。
英飛凌公司通過推出新一代LDMOS工藝，再次表明了其為移動網絡提供尖端射頻功率技術的堅定決心。新一代技術產品的推出，能夠讓無線網絡系統開發商降低成本，提高系統性能，增強系統質量和可靠性。
