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1200V IGBT4：具備優化特性的英飛凌新一代功率半導體
對于采用先進、高效的變頻器的工業節能應用市場而言，經過優化的各種功率半導體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結合改進型發射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產品，可面向不同應用滿足現代化變頻器的要求。
2009-01-22
IGBT4-T4 IGBT4-E4 IGBT4-P4 IGBT 功率模塊
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電子電路產業穩中有升、面臨轉型
中國電子電路產業將進入重新調整布局的新時代，產品技術含量越來越高，企業具有更多的自主研發、自主知識產權的項目，管理水平全面提升，企業效益不斷增長，三廢治理逐步達到國際先進水平。中國將迎來PCB業強盛的新時代。 中國電子電路行業盡管這五六年有些起伏，但是近30年來總體上保持持續高...
2009-01-19
PCB 覆銅箔板 RoHS UL HDI 印制電路板 CCL 深南電路
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多晶硅量子效應及其對MOSFET閾值電壓的影響
根據載流子分布曲線近似，通過求解泊松方程，得到了多晶硅中電場及其電勢的分布，計算了在不同摻雜濃度下多晶硅量子效應所引起的MOSFET閾值電壓的偏移，并與數值模擬的結果進行了比較，表明其具有較好的準確性
2009-01-17
多晶硅量子 MOSFET 閾值電壓
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FCI收購IMPLO Technologies公司
法國FCI日前收購了面向電力市場的內爆(implosive)連接器產品開發商——IMPLO Technologies公司，這項收購將使FCI能夠把IMPLO開發的技術用于其為電力傳輸連接應用提供的產品。
2009-01-16
FCI內爆技術 電力應用
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太陽能發電成本下降，2010年將達到每千瓦時0.13美元
太陽能發電的成本不斷下降，但仍高于傳統的發電技術。
2009-01-15
太陽能發電 薄膜太陽能光電模組 硅晶太陽能光電模組
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WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產品是業界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
WSLT2010…18 電阻 Power Metal Strip 電流感測電阻 EMF TCR
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08年國內高純多晶硅產量同比爆增263.7%
國內20多個省市把光伏產業作重點，規劃或計劃建設多晶硅項目，國內對千噸級多晶硅的規?；a技術尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產能增長快，為國內多晶硅企業提升工藝技術留下緩沖時間。
2009-01-14
洛陽中硅 新光硅業 江蘇中能 東汽峨嵋 多晶硅 光伏產業 太陽能
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“可以給壁掛電視充電”，Powermat公開非接觸充電技術
以色列Powermat公司在面向新聞界舉行的CES 2009會前發布會上，公開演示了該公司的非接觸充電系統。不久之后將上市用于手機、智能電話、便攜式游戲終端及個人電腦的非接觸充電產品。
2009-01-14
CES 2009 磁耦合 電腦 手機 智能手機 游戲終端 壁掛電視 照明 適配器 RFID
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2008年1-11月電子產品進出口達8242億美元
2008年以來，我國電子信息產品進出口貿易保持平穩較快增長態勢，但自下半年起增幅明顯回落。1-11月，電子信息產品累計進出口總額為 8242.2億美元，同比增長13.3%，比2007年同期下降10.3%，低于同期全國商品進出口增幅7.6%。
2009-01-12
電子信息 進出口貿易 電子元件
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