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                                        智能手表手環AMOLED顯示屏電源芯片SGM38046

                                        發布時間:2021-10-19 來源:圣邦微電子 責任編輯:wenwei

                                        【導讀】隨著電子信息產品屏幕顯示技術的演進,AMOLED(Active-Matrix Organic LED)顯示屏,即有源矩陣有機發光二極管顯示屏,因具有色彩鮮艷、輕薄、主動發光(無需背光源)、視角寬、清晰度高、亮度高、響應快速、能耗低、使用溫度范圍廣、抗震能力強、可實現柔軟顯示等特點,成為當今高端顯示屏的熱門選擇。智能手環、智能手表等也已全面采用AMOLED顯示屏。


                                        SGM38046是一顆專門為智能手環、智能手表等小尺寸AMOLED顯示屏提供AVDD、ELVDD、ELVSS的電源管理芯片,在對稱電壓ELVDD、ELVSS模式下效率優化。


                                        小尺寸AMOLED顯示屏電源芯片技術演變路線


                                        影響AMOLED電源器件架構的因素:


                                        ●    綜合尺寸(多電感、單電感、無電感);

                                        ●    輸入電壓范圍;

                                        ●    輸出電壓配置(非對稱電壓、對稱電壓);

                                        ●    負載電流大小。


                                        幾種常見的單電感架構:


                                        ●    架構A:Boost + NVCP(負壓電荷泵);

                                        ●    架構B:Boost/Bypass + LDO + NVCP;

                                        ●    架構C:Buck-Boost + LDO + NVCP;

                                        ●    架構D:類似SGM38042的SIMO(單電感多輸出)架構。


                                        無電感架構:


                                        ●    SGM38045:無電感架構,且待下回分解。


                                        電荷泵結構簡介


                                        1.png

                                        圖1 幾種常見的電荷泵結構示意圖


                                        電荷泵結構特點:


                                        ●    每使用一個飛電容,需要4個開關管,硅片開銷大。

                                        ●    在接近整倍率電壓下工作時,效率主要由開關組導通電阻決定。

                                        ●    小電流高電壓場景對開關組導通電阻要求低,效率高,解決方案優勢顯著。


                                        幾種常見小尺寸電源架構的優缺點對比分析


                                        架構A:Boost + NVCP(負壓電荷泵)


                                        2.png

                                        圖2 架構A


                                        優點:


                                        ●    Boost架構相對簡單;

                                        ●    外圍僅需1L+6C。


                                        缺點:


                                        ●    僅2路輸出,無AVDD;

                                        ●    不適用于高壓電池應用,連接充電器輸出不穩;

                                        ●    需要復雜的負壓電荷泵電路,11個開關管,外圍器件多;

                                        ●    正壓效率損失大;

                                        ●    不適用于對稱電壓。


                                        架構B:Boost/Bypass + LDO + NVCP


                                        3.png

                                        圖3 架構B


                                        優點:


                                        ●    Boost/Bypass架構AVDD不再受限于輸入電壓范圍;

                                        ●    配置相對靈活。


                                        缺點:


                                        ●    對稱電壓應用,VIN高壓時效率低下;

                                        ●    非對稱電壓應用,正壓效率損失大;

                                        ●    不適用更高電壓電池、更低輸出電壓的應用;

                                        ●    需要-0.5×CP,12個開關管,外圍器件多;

                                        ●    外圍需要1L+10C。


                                        SGM38042架構:SIMO(單電感多輸出)


                                        4.png

                                        圖4 SGM38042架構


                                        優點:


                                        ●    專利電路,分時SIMO架構,電路框架簡單;

                                        ●    無需負壓電荷泵,僅需7個開關管;

                                        ●    正負電源紋波抑制,LDO損耗低;

                                        ●    輸入電壓范圍寬;

                                        ●    外圍僅需1L+6C。


                                        缺點:


                                        ●    AVDD由VIN經LDO輸出,電壓范圍受限于VIN;

                                        ●    SIMO架構輸出正負壓,需要采用高耐壓器件來實現,效率提升困難。


                                        SGM38046架構


                                        5.png

                                        圖5 SGM38046架構


                                        優點:


                                        ●    AVDD不再受限于輸入電壓范圍;

                                        ●    適用于對稱電壓,效率相對較高;

                                        ●    適合高壓電池應用。


                                        缺點:


                                        ●    Buck-Boost架構,需要Q1~Q4共4個大管;

                                        ●    外圍需要1L+9C。


                                        ELVDD/ELVSS為什么要采用對稱電壓?


                                        對稱電壓下AMOLED屏的功耗更低:


                                        ●    非對稱模式下ELVDD/ELVSS采用4.6V/-2.4V總壓差7V供電;

                                        ●    對稱模式下ELVDD/ELVSS采用3.3V/-3.3V總壓差6.6V供電;

                                        ●    單從工作電壓看,非對稱情況下7V比對稱電壓6.6V效率低6.06%。


                                        對稱模式下電路架構更簡單,如下圖所示:


                                        6.png

                                        圖6 非對稱及對稱模式下電路示意圖


                                        ●    非對稱模式下負壓電荷泵需要7~8個MOSFET;

                                        ●    對稱模式下負壓電荷泵僅需要4個MOSFET。


                                        對稱模式的電源拓撲架構比非對稱模式更省電,如下圖所示:


                                        7.png

                                        圖7 非對稱及對稱模式下電路架構


                                        非對稱模式下:


                                        ●    ELVDD需由5.4V產生4.6V,損耗15%;

                                        ●    AVDD需由5.4V產生3.3V,損耗39%;

                                        ●    ELVSS需由-2.7V產生-2.4V,損耗11%。


                                        對稱模式下:


                                        ●    ELVDD僅需由3.6V產生3.3V,損耗8.4%;

                                        ●    AVDD僅需由3.6V產生3.3V,損耗8.4%;

                                        ●    ELVSS僅需由-3.6V產生-3.3V,損耗8.4%。


                                        兩相比較,對稱模式下各電源比非對稱模式下省電:


                                        ●    ELVDD省6.6%;

                                        ●    AVDD省30.6%;

                                        ●    ELVSS省2.6%。


                                        補充說明:VDD-VSS不對稱電壓結構是從LCD采用的薄膜晶體管陣列(TFT Matrix)驅動沿襲過來的。演化的小尺寸TFT驅動結構是針對電源電壓范圍,TFT的開關特性,顯示單元驅動要求和既有設計繼承的設計綜合優化的結果。TFT設計以及盡力降低它和OLED工作電壓促成了可以采用對稱方式供電;目前受限制于ITO透明引線的特性,在大尺寸應用中尚不能采用對稱方式供電。


                                        SGM38046是一顆以對稱電壓模式優化的小尺寸AMOLED電源芯片(同樣支持非對稱電壓模式工作,但在該模式下性能與其它芯片類似)。


                                        SGM38046主要特性


                                        ●    輸入電壓:2.7V~5.5V;

                                        ●    AVDD輸出電壓:3.3V;

                                        ●    OVDD輸出電壓:2.8V~4.6V(默認輸出電壓:3.3V ± 1%,0.1V步進);

                                        ●    OVSS輸出電壓:-0.6V~-4.0V(默認輸出電壓:3.3V ± 1%,0.1V步進);

                                        ●    OVDD & OVSS組合輸出電流能力高達90mA;

                                        ●    優秀的線性和負載調整率;

                                        ●    低紋波和優秀的瞬態響應;

                                        ●    輸出負載與輸入分離;

                                        ●    欠壓鎖定、過流保護、短路保護、過壓保護和過溫保護功能;

                                        ●    輕載效率下節能(Power-Save)模式;

                                        ●    關斷電流:低于1μA;

                                        ●    WLCSP-2×2-16B綠色封裝。


                                        SGM38046封裝及引腳分布


                                        8.png

                                        圖8 SGM38046封裝圖


                                        SGM38046典型應用電路圖


                                        9.png

                                        圖9 SGM38046典型應用電路


                                        SGM38046效率曲線


                                        10.png

                                        圖10 SGM38046效率曲線


                                        相關產品信息


                                        1634386435505697.png



                                        免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯系小編進行處理。


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