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晶川電子榮獲英飛凌2008年度KPI大獎
2008年11月18～20日，英飛凌（Infineon:原西門子半導體集團公開上市公司）在北京希爾頓逸林飯店舉行了亞太地區代理商大會。參會代表來自英飛凌德國總部，亞太地區總部（新加坡），以及亞太地區的代理商近兩百人。
2008-11-27
功率半導體器件 IGBT模塊 晶閘管 電力二極管
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FDMA1027/2P853：飛兆半導體最薄MicroFET MOSFET
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產品FDMA1027，滿足現今便攜應用的尺寸和功率要求。相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產品如手機的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
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歐盟研發出光效為39．7％的太陽能電池
2008年11月24日消息，來自歐盟委員會資助的項目Fullspectrum的科學家研發出了光伏轉換效率達39.7%的太陽能電池。據說，這是歐盟目前所能達到的最高光效。
2008-11-26
光伏 晶硅光伏電池 太陽能電池 光能
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DS4560：Maxim具有自我保護及重啟功能的熱插拔開關
Maxim推出具有自我保護及重啟功能的完全集成熱插拔開關DS4560。器件極大地減少了12V供電背板系統中保證安全插入和拔出操作所需的元件數量。為減小方案尺寸、簡化設計，DS4560集成了25mΩ n溝道功率MOSFET，從而省去了外部MOSFET。DS4560專為12V系統而設計，是企業級硬盤驅動器、服務器/路由器、PCI E...
2008-11-25
DS4560 熱插拔開關 PCIe InfiniBand MOSFET
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高性能IGBT提高太陽能逆變器效率
飛兆半導體的截止溝道式IGBT適用于不間斷電源、太陽能逆變器以及微波爐和感應加熱類的應用，可以幫助設計師減少傳導損耗和開關損耗，實現極高的效率。
2008-11-25
太陽能 逆變器 IGBT
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特許半導體CEO：目前談合并太“冒失”
日前到訪我國臺灣省的新加坡特許半導體（Chartered Semiconductor Manufacturing）首席執行官Song-Hwee Chia否認了此行是為了接洽與其他半導體廠商進行合并事宜。Song-Hwee Chia表示對所謂的“合并大計”并不知情，不過他也沒有完全排除未來的形勢有往這個方向發展的可能。
2008-11-25
Song-Hwee Chia 半導體 合并
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IC S-5711A系列：日本精工最新磁性開關
日本精工電子有限公司(SII)日前推出磁性開關ICS-5711A系列。S-5711A系列是彩用CMOS技術開發的高靈敏度、低消耗電流的霍爾IC(磁性開關IC)?？蓹z測出磁束密度的強度，使輸出電壓發生變化。通過與磁石的組合，可進行各種設備的開/關檢測。
2008-11-25
S-5711A系列 磁性開關
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歐姆龍（廣州）汽車電子有限公司二期工廠破土動工
10月初，歐姆龍（廣州）汽車電子有限公司的二期工廠破土動工，預計于2009年9月竣工。二期工廠占地面積為20，000平米。該工廠的建成，對于歐姆龍（廣州）汽車電子有限公司事業的發展有著至關重要的意義。二期工廠將進行新產品EPS（Electric Power Steering)的生產。
2008-11-24
EPS 汽車電子
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中科三環：受益風電高增長
中科三環作為國內釹鐵硼產業的龍頭老大,有能力生產直驅永磁風電電機，當前已經獲得了金風科技等風電廠家的產品技術認證，受益風電產業高增長。
2008-11-24
電機 風電 磁性材料
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