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關斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關斷時發生的柵極電壓欠沖對導通開關特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關特性產生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導通
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打破電動汽車“里程焦慮”，主驅能效如何升級？
因續航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉換過程的效率是延長車輛續航能力以緩解這種焦慮的關鍵。能效至關重要的一個關鍵領域是主驅逆變器，它將直流電池電壓轉換為所需的交流驅動，以為電機供電。
2022-09-19
電動汽車 主驅能效
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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開關器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應用于新能源汽車、工業、醫療、交通、消費等行業的電力電子設備中，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。因此，實現更低的開關損耗和更低的導通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。
2022-09-15
TO-247封裝 MOSFET 源極管腳
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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的挑戰
了解為當今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的關鍵挑戰，是設計一個滿足每位設計工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優化的電源系統方案的關鍵要素。電源系統設計人員需要知道不同應用中的電源方案有何不同，比方說，一個800萬像素（MP）的相機與一個5000萬像素的相機的電源方案有何不同...
2022-09-15
CMOS 圖像傳感器 供電方案
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安森美獲蔚來“守望獎”
中國上?！?022年9月13日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在蔚來于2022年7月30日舉行的合作伙伴大會上獲其授予“守望獎”。作為蔚來體系中值得信賴的關鍵技術供應商，安森美通過多種渠道確保對蔚來的供貨支持，包括專職負責順利生產和交付流程的小組。
2022-09-14
安森美 蔚來 SiC模塊
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業中至關重要的節能設備，ABB傳動一直致力于用先進的產品和技術，創新的解決方案為客戶創造價值，提高生產效能水平，助力變頻器產業升級。
2022-09-14
ABB IGBT7 變頻器
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電源應用問題之應用環境分析
本文簡述開關電源常見的應用環境，分析各種典型環境因素對電源產品的主要影響機理，推薦與應用環境相匹配的金升陽電源產品，提升電源在不同應用環境中的可靠性。
2022-09-14
開關電源 應用環境 金升陽
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開啟大功率無線充電新時代
無線充電技術包括感應、磁諧振、電容、射頻輻射、激光、聲波和其他新興技術。感應耦合技術處于領先地位 [1]，因此，其相關標準 Qi 在無線充電領域應用最為廣泛。
2022-09-14
無線充電 WLC1115 發射器
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碳化硅MOS 四引腳封裝在應用中的優勢
瑞森半導體科技有限公司經過多年研發，推出碳化硅MOS和SBD系列產品，目前已得到市場和客戶認可，廣泛應用于高端服務器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅動、儲能、充電樁等領域。
2022-09-14
碳化硅 MOS TO-247封裝
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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