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機電繼電器的特性及其在信號切換中的選型和應用
本文介紹了機電繼電器(EMR)在信號切換中的應用，強調了其出色的導通和關斷性能、輸入/輸出隔離功能以及多極配置帶來的靈活性和多功能性。文章以 Omron Electronic Components 的產品為例，介紹了如何選擇和應用 EMR，包括繼電器類型、區別、配置、射頻性能、功耗以及可靠性等方面的考慮。
2024-12-31
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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過程控制傳感器，例如熱敏電阻和應變計電橋，都需要的偏置電流。通過添加單個電流設置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產生恒定且的電流源（圖 1 ）。然而，信號源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ，并影響測量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過常用電壓基準 IC 精度的高精度電阻，但基準電壓源的誤差決定了該電流源的精度。盡管制造商限度地降低了電壓基準的溫度敏感性和輸出電壓誤差，但對電源變化的敏感性可能會影響其精度，特別是在必須在較寬電源電壓范圍內運行的過程控制應用中。
2024-12-31
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消除電刷、降低噪音：ROHM 的新型電機驅動器 IC
典型的有刷直流電機是一種非常方便但噪音很大的設備。電刷實現極性反轉，也稱為“換向”，這樣您只需施加恒定的直流電壓即可使電機轉動。但與這些電刷相關的突然連接和斷開會導致瞬態干擾，從而影響連接到電機的電路（通過標準傳導路徑）以及附近的組件（通過 EMI）。
2024-12-29
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為什么超大規模數據中心要選用SiC MOSFET？
如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發熱量減少，從而降低散熱成本。
2024-12-28
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2025存儲前瞻：用存儲加速AI，高性能SSD普適化
縱觀2024年，存儲技術升級已經給AI計算、云端應用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產車規級UFS 4.0推動行業發展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學結構SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時下的存儲應用需求，并已經為未來存儲鋪墊全新的技術可行性。
2024-12-27
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NeuroBlade在亞馬遜EC2 F2 實例上加速下一代數據分析
數據分析加速領域的領導者NeuroBlade宣布其已經與亞馬遜云科技（AWS）最新發布的Amazon Elastic Compute Cloud (Amazon EC2) F2實例實現集成，該實例采用了AMD FPGA與EPYC CPU技術。此次合作通過NeuroBlade創新的數據分析加速技術，為云原生數據分析工作負載帶來了前所未有的性能和效率。
2024-12-27
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熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN（東盟）市場經理！
我們非常高興地宣布，Micro Crystal 瑞士微晶中國臺灣銷售與市場經理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN（以下簡稱為東盟）市場經理！這一重要晉升不僅是對 Andrew 在職業生涯中卓越表現的高度認可，也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場的重要一步。
2024-12-26
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功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-25
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貿澤電子持續擴充工業自動化產品陣容
專注于引入新品的全球電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 持續擴充其來自業界知名制造商和解決方案供應商的工業自動化產品陣容，幫助客戶奠定工業5.0發展的基礎。
2024-12-25
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第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術
三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。
2024-12-22
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芝識課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項】—深入電子設計，需要這份指南（一）
當今的電子設計領域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應用。然而，要充分發揮CMOS邏輯IC的性能優勢，確保系統的穩定可靠運行，必須嚴格遵守一系列使用注意事項。從本期芝識課堂起，芝子將向大家奉上一份詳細的設計指南，幫助大家更好地避免潛在的設計陷阱和故障。
2024-12-13
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第11講：三菱電機工業SiC芯片技術
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。
2024-12-12
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