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M675S02：IDT 推出最新系列低抖動 SiGe VCSO 產品
擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT? 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣布，已推出新的低抖動硅鍺（SiGe）聲表面（SAW）壓控振蕩器（VCSO）產品系列。新的產品系列與 IDT 備受歡迎的 M675 系列和高性能計時產品組合相得益彰，采用更高頻率低抖動振蕩器設計，從而滿足光纖電信應用的嚴格要求。
2012-02-29
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Mini K HV：TE推出緊湊型的預充式繼電器
TE Mini K HV 支持動力電池的交換部件中的連接與切斷。作為一款緊湊型的預充式繼電器，Mini K HV直接在主充電繼電器工作之前，就用預充電電阻取代了對濾波電容的充電，從而在浪涌電流時保護了主繼電器的觸點。
2012-02-29
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TI宣布其MCU可支持 ARM? 的最新 Cortex CMSIS
日前，德州儀器 (TI) 宣布其基于 Stellaris? Cortex?-M4F 內核的微控制器 (MCU) 現在可以支持 ARM? 的最新 Cortex 微控制器軟件接口標準 (CMSIS)。除了 TI 的 StellarisWare? 軟件套件之外，通過簡化浮點、單指令多數據 (SIMD) 和數字信號處理 (DSP) 運算的可實現方案，ARM 的 CMSIS 庫也將幫助開發人員實現 Stellaris LM4F 微控制器業界領先的優勢。
2012-02-28
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NXP GreenChip電源IC確立低負載下效率和空載待機功耗標準
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布推出GreenChip? SPR TEA1716開關模式電源 (SMPS) 控制器IC——這是業界首款PFC和LLC諧振組合控制器，可在低負載下實現超低待機功耗，并且符合將于2013年生效的歐盟生態設計指令的要求。公司同時宣布推出多款采用超小封裝的高性價比SPF (反激式智能電源) IC，包括GreenChip SPF TEA1731以及TEA172x系列新品，這些器件均具有出色的空載性能。此外，恩智浦還推出了一款新型GreenChip同步整流 (SR) 控制IC——TEA1792。
2012-02-27
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HFP：TE的推出用于GSM850/900電源切換RF開關
TE Connectivity公司推出了用于GSM850/900的HFP開關。第三代信息和信號技術需要新的接收RF（射頻）信號的電路開關。GSM（全球移動通信系統）是蜂窩網絡使用最廣泛的頻率范圍。有了HFP，TE可直接滿足GSM850/900應用中從824到960MHz頻段的電源切換RF開關的需求。
2012-02-24
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2012全球LTE手機競爭激烈
今年世界各地將有100多個移動電信運營商開始LTE商業運作，諾基亞，索尼移動通信和中國的中興，華為等廠商都將推出LTE手機，這將加速2012年全球LTE手機市場競爭。
2012-02-23
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背光和照明市場需求增加緩減2012年LED供應過剩
據DisplaySearch —過去一段時間由于LED背光液晶電視銷售減弱且LED照明成長緩慢，2011年LED出現了供大于求的局面，供需落差達30%。2012年，隨著背光和照明的市場需求回暖，過度供應問題將得到有效緩解。根據NPD DisplaySearch季度LED供需市場預測報告Quarterly LED Supply/Demand Market Forecast Report指出，第一季度供需過剩比為19%，第二季度將進一步下降至16%。
2012-02-23
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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩態小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒有像移動手機連接器之類的終端設備，零瓦充電器就會停止從電網中取電， TE的IMF是專為這樣的應用而設計的，其設計是對現有AXICOM IM繼電器產品線的補充。
2012-02-22
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Vishay 擴充用于功率電子的重載電容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
2012-02-22
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4G競逐大戲已經開場 推廣標準是關鍵
從3G到4G，從追隨者變為游戲規則制定者，中國正一步步建立自己的移動通信標準體系。由中國主導的TD-LTE在1月18日正式成為4G國際標準，這意味著下一代移動通信標準的全球征戰正式開場。但制定標準只是開始，推廣標準才是關鍵。只有以標準為支點，占據全球競爭的制高點，從而撬動整個國家產業戰略的轉型升級，才是中國發展TD-LTE的意義所在。
2012-02-22
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基于EXB841的IGBT驅動與保護電路設計
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應用。但是，IGBT的門極驅動電路影響IGBT的通態壓降、開關時間、快開關損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數，并決定了IGBT靜態與動態特性。因此設計高性能的驅動與保護電路是安全使用IGBT的關鍵技術。
2012-02-21
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Digi-Key與Ramtron 簽署全球經銷協議
Digi-Key 公司是一家知名的電子元件經銷商，被設計師們譽為業內最廣泛的電子元件庫，提供立即發貨服務，日前宣布已經與 Ramtron International Corporation簽署全球經銷協議。
2012-02-20
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