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貿澤電子2025二季度新品潮：15,000+物料助力設計升級
全球電子元件授權分銷商貿澤電子（Mouser Electronics）宣布，2025年第二季度將重磅推出超過15,000個全新物料，涵蓋1,200余家知名廠商的尖端產品與技術。作為創新設計的加速引擎，貿澤持續強化原廠直供優勢，提供全鏈路可追溯的認證器件，助力工程師快速實現從概念驗證到量產落地的全流程。
2025-07-15
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300mm晶圓量產光學超表面！ST與Metalenz深化納米光學革命
全球半導體巨頭意法半導體（STMicroelectronics） 與超表面光學先驅Metalenz達成戰略級技術許可合作，標志著納米光學器件規?；a取得關鍵突破。本次協議拓展了ST對Metalenz核心知識產權的使用權，并將依托其300毫米晶圓產線實現超表面光學元件的全流程整合制造——從半導體級納米壓印到光電協同測試認證。這一融合顛覆了傳統光學組件分立式生產模式，為消費電子、車載傳感等領域帶來性能躍升與成本重構的雙重變革。
2025-07-10
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智能家居開發指南上線！貿澤電子發布全棧式設計資源中心
全球電子元器件分銷巨頭貿澤電子（Mouser Electronics）近日推出智能家居資源中心，為工程師構建智能生態系統提供一站式技術平臺。該中心整合物聯網（IoT）前沿技術，涵蓋從傳感器到邊緣計算的全鏈路解決方案，助力開發者快速實現家居設備互聯、能源優化及個性化場景定制，推動智能家居從概念向規?；涞剡~進。
2025-07-10
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200kHz開關頻率破局！Wolfspeed聯合恩智浦推出牽引逆變器解決續航焦慮
Wolfspeed與恩智浦（NXP）聯合推出業界首款經過全面驗證的800V牽引逆變器參考設計，為電動汽車行業注入關鍵技術動能。面對汽車行業加速向零排放轉型的需求，該設計通過集成動態柵極強度調節技術與碳化硅（SiC）功率模塊，直擊效率提升、功能安全及長期可靠性三大核心痛點，助力車企快速開發出性能媲美甚至超越燃油車的差異化電動車型。
2025-07-09
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隔離式柵極驅動器核心技術全景：安全、能效與國產破局路徑
隔離式柵極驅動器作為電力電子系統的核心接口器件，通過電氣隔離技術將控制信號（低壓域）與功率開關（高壓域）安全耦合。其核心原理是利用電容隔離（如TI的SiO?介質層）、磁隔離（變壓器耦合）或光隔離（光電耦合器）構建絕緣屏障，阻斷高達10kV的瞬態高壓沖擊，同時傳遞精確的PWM驅動信號。在SiC/GaN等第三代半導體普及的背景下，其價值已從基礎“信號中轉站”升級為高頻開關穩定器與系統安全守護者。
2025-07-08
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重磅公告！意法半導體2025年Q2業績發布及電話會議時間確定
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年7月24日歐洲證券交易所開盤前公布2025年第二季度財務數據。
2025-07-02
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1700V耐壓破局！Wolfspeed MOSFET重塑輔助電源三大矛盾
在電機驅動、電動汽車及可再生能源系統的隱形戰場——輔助電源系統中，Wolfspeed 1700V SiC MOSFET以顛覆性耐壓能力直擊行業痛點：在確保多源采購靈活性的前提下，同步實現系統尺寸縮減30%、壽命延長2倍、綜合成本降低25%，破解了高可靠性與低成本難以兼得的“三難困境”。
2025-07-02
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第八屆中國 IC 獨角獸榜單發布
本次評選聚焦集成電路全產業鏈,旨在挖掘具有高成長性和技術突破的創新企業,通過系統化估值與行業賦能,助力中國半導體產業在全球競爭中實現高質量發展。
2025-07-01
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IOTE 2025深圳物聯網展：七大科技領域融合，重塑AIoT產業生態
2025年8月27-29日，深圳國際會展中心（寶安）將迎來IOTE第24屆國際物聯網展的科技盛宴。在全球AIoT技術深度賦能產業轉型的關鍵節點，本屆展會首次構建跨領域協同生態，強勢整合通用人工智能（AGIC）、智慧商顯、電子紙、行業智能解決方案、嵌入式系統、AI玩具及邊緣計算七大前沿領域。通過推動“數據感知 - 智能決策 - 場景落地”全鏈路貫通，展會將加速智能制造迭代升級、助力智慧城市系統優化、重構智慧生活新范式，為500+參展企業搭建技術創新與產業升級的核心樞紐。
2025-07-01
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MHz級電流測量突破：分流電阻電感補償技術解密
在第三代半導體（SiC/GaN）驅動的ns級開關場景中，表面貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測量的首要瓶頸。實測表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態下產生＞38%電壓過沖，導致1MHz頻點測量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測試數據），嚴重制約車載電控、射頻功放等對DC-3MHz帶寬、±1%精度要求的應用。本文提出基于矢量網絡分析儀（VNA）的頻響建模技術，通過精準量化寄生參數（Lp/Cp），并設計臨界阻尼RC補償網絡，將1MHz測量誤差壓縮至＜1%、過沖抑制＞90%，單方案成本＜$0.1，為高可靠性功率系統提供底層保障。
2025-07-01
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一文讀懂SiC Combo JFET技術
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。
2025-06-26
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離座秒鎖屏！意法半導體新推人體存在檢測技術守護PC智能設備隱私安全
意法半導體（STMicroelectronics）近日發布新一代人體存在檢測（HPD）技術，通過集成FlightSense?飛行時間（ToF）傳感器與AI算法，為筆記本電腦、PC及顯示設備帶來能效與安全性的雙重突破。該方案可降低設備日用電量超20%，同時強化隱私保護與信息安全。其核心功能包括：基于頭部姿態識別的智能屏幕亮度調節、用戶離席自動鎖屏與返座喚醒，以及多人圍觀時的隱私警報。結合Windows Hello生物識別技術，用戶無需手動操作即可完成設備交互，體驗全面升級。
2025-06-26
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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