開關穩壓器是采用單片結構還是通過控制器構建？

開關穩壓器可以采用單片結構，也可以通過控制器構建。在單片式開關穩壓器中，各功率開關（一般是MOSFET）會集成在單個硅芯片中。使用控制器構建時，除了控制器IC，還必須單獨選擇半導體和確定其位置。選擇MOSFET非常耗費時間，且需要對開關的參數有一定了解。使用單片式設計時，設計人員無需處理這些問題。

2023-08-09

貿澤與Molex攜手推出全新電子書，提供有關去中心化數據管理的見解和專業知識

2023年8月9日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與知名電子元器件制造商、連接技術創新企業Molex攜手推出全新電子書《The Power of Innovation and Data: Revolutionizing Industrial, Healthcare, Automotive and Data Centers》（創新和數據的力量：為工業、醫療、汽車和數據中心帶來變革）。本書探討了去中心化數據管理面臨的諸多挑戰，涉及數據中心去中心化、數據完整性和安全性，以及提高設計靈活性以滿足不斷變化的市場需求等方面。

2023-08-09

結合機器人感知和人工智能創造新時代

賦予機器人對于環境的感知與移動能力，使得機器人能夠更安全、更具機動性，若再結合人工智能（Artificial Intelligence, AI）技術，將能使機器人更聰明、更具實用性，使得機器人的未來發展極具想象空間。本文將為您探討機器人感知與AI技術的發展，以及眾多廠商所推出的相關解決方案。

2023-08-08

使用 PICAXE 14M2 和步進電機構建紅外跟蹤器

步進電機有兩相或多相；兩相步進器可以單極配置或雙極配置驅動。這里選擇的電機是單極電機。該項目使用單極驅動電路，但僅供記錄，允許單極驅動的電機也可以由雙極驅動電路控制。

2023-08-07

如何利用高精度MOSFET模型，設計功率轉換器

在設計功率轉換器時，可以使用仿真模型，綜合權衡多個設計標準。其中，使用基于開關的有源器件簡易模型進行快速仿真，可以帶來更多工程參考。然而，與制造商精細的器件模型相比，這種簡易模型在設計中無法提供相等的精度。本文探討了功率轉換器設計員如何結合系統級模型和精細模型，探索更多設計空間，并提高精度。本文使用MathWorks系統級建模工具Simulink? 和 Simscape?，以及精細的SPICE子電路（代表英飛凌車規級MOSFET），對該過程進行示范展示。

2023-08-07

【CMOS邏輯IC基礎知識】——解密組合邏輯背后的強大用途?。ㄏ拢?/a>

帶降噪端子的電壓基準 IC

一些電壓基準具有專用的降噪端子。這些端子可用于過濾基準的噪聲并實現更高的性能。然而，應該注意的是，此類中的每個電壓基準可能需要不同的電路來實現噪聲過濾。沒有一種解決方案適用于所有這些電壓基準。因此，在做任何事情之前，應該徹底研究設備數據表，以獲取有關此主題的任何明確信息。

2023-08-07

固定電壓調節器的可變電壓電源

在本項目中，我將向您展示如何利用固定穩壓器（如 7805 IC）設計可變電壓電源。78XX 和 79XX 是市場上兩種系列的三引腳穩壓器。78XX 系列穩壓器用于正電源，即如果需要 +5V 電源，則可使用 7805 穩壓器。而 79XX 系列則用于負電源，即如果需要 -5V 電源，則使用 7905 穩壓器。

2023-08-06

了解7805 IC電壓調節器

在本教程中，我們將了解最常用的穩壓集成電路之一--7805 穩壓集成電路。穩壓電源對于一些電子設備來說非常重要，因為這些設備采用的半導體材料具有固定的電流和電壓率。如果偏離固定速率，設備可能會損壞。

2023-08-06

全新C8系列實時時鐘模塊現已發布

近日，Micro Crystal 瑞士微晶公司推出了全新的 C8 系列超小型實時時鐘模塊，這款模塊的設計初衷是致力于滿足極小尺寸和輕量級設計的需求。

2023-08-04

IGBT如何選擇，你真的了解嗎？

最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多，受到廣泛關注。然而，在這些新技術出現之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應用仍然適合繼續使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結構和運行，并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構，然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。

2023-08-04

使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅動優化電源系統

在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統等綠色能源應用所需的 DC-DC 轉換器、電池充電器、電機驅動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導通和關斷時需要精確的驅動電壓（具體取決于所使用的器件）。

2023-08-03