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半導體后端工藝 第十一篇（完結篇）：半導體封裝的可靠性測試及標準
本系列文章詳細介紹了半導體后端工藝，涵蓋了從不同類型的半導體封裝、封裝工藝及材料等各個方面。作為本系列的收篇之作，本文將介紹半導體的可靠性測試及標準。除了詳細介紹如何評估和制定相關標準以外，還將介紹針對半導體封裝預期壽命、半導體封裝在不同外部環境中的可靠性，及機械可靠性等評估...
2024-09-12
半導體 后端工藝 封裝
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充電器基礎知識以及電量計分區為何如此重要
電池充電系統的關鍵組件是充電器本身和電量計，電量計可電池充電狀態 (SOC)、電量耗盡時間和充滿電時間等指標。電量計可在主機端或電池組中實現（見圖 1）。
2024-09-11
充電器 電量計分區
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為什么存儲系統的性能對AI工作負載至關重要？
數據是各種現代企業的生命線，而數據存儲、訪問與管理策略對企業的生產力、盈利能力以及競爭力會產生顯著影響。隨著人工智能（AI）的興起，各行各業都在經歷變革，企業不得不重新思考如何利用數據來加速創新和增長。然而，AI訓練和推理對數據管理和存儲提出了獨特的挑戰，因為它們需要處理龐大的數...
2024-09-11
存儲系統 AI 工作負載
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...
2024-09-11
SiC
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邊界工況推動下，汽車圖像傳感器的四大發展方向
隨著自動駕駛等級進階，搭載的攝像頭數量越來越多性能越來越高。為幫助自動駕駛車輛描繪出一幅幅精準細膩的“路況圖”，其幕后英雄圖像傳感器正在嶄露頭角，高分辨率、高動態范圍等技術方向的推進迫在眉睫。
2024-09-11
汽車 圖像傳感器
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氮化鎵在高壓應用中提供強大的解決方案
在電子工程領域，向更高工作電壓發展的趨勢是由各種應用中對提高效率和功率密度的需求所推動的。氮化鎵（GaN）技術正作為一種強大的解決方案來滿足這些需求。
2024-09-11
氮化鎵 高壓應用
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開關模式電源問題分析及其糾正措施：檢測電阻器違規
本文是系列文章中的第二篇，該系列文章將討論常見的開關模式電源(SMPS)的設計問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關穩壓器的反饋級設計中面臨的復雜難題，重點關注檢測電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對于確保反饋網絡（負責維持輸出電壓）接收來自電感電流的準確信號而言至關重要。失真的信號可能會...
2024-09-10
開關模式 電源 電阻器
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