產品特性：

• 可以精確表達兩個晶體管之間的相互作用
• 使設計高精度電路成為可能

應用范圍：

• 電路設計

廣島大學HiSIM研究中心的研究小組開發了IGBT（insulated gate bipolar transistor）電路設計和檢測用模型“HiSIM-IGBT”，并于近日在該大學向新聞媒體作了發布。并披露，已經面向車載集成電路設計人員等公開了該模型。

廣島大學從2005年開始就一直與豐田和豐田中央研究所共同研究普通車載用IGBT（insulated gate bipolar transistor）的模型。IGBT組合使用了雙極晶體管和MOSFET，而聯合研究小組則推導出可不分離這兩個晶體管,而整體模擬IGBT的模型公式，從而開發出了HiSIM-IGBT。制成一體化模型是為了精確表達兩個晶體管之間的相互作用。

HiSIM-IGBT以廣島大學和半導體理工學研究中心（STARC）聯合開發的MOSFET模型“HiSIM（Hiroshima-university STARC IGFET Model）”為骨架，并統合了雙極晶體管模型。據介紹，采用HiSIM-IGBT使設計高精度電路成為可能，有望大幅推進能源利用的高效率化。

模型的精度和穩定性評測已完成，已達到可公開的程度。據稱，有為模型做嵌入式評測的EDA工具供應商已表示，即便是大電流電路和大電壓電路，也可以穩定預測特性。廣島大學打算通過發布該模型，使更多的用戶利用，以便進一步改進。