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魚與熊掌皆可得？當SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。
2022-06-07
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IGBT窄脈沖現象解讀
IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時，時常會無奈發生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯續流二極管FWD在硬開關續流時反向恢復特性也會變快。
2022-06-03
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如何計算驅動芯片的desat保護時間
SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅動電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。
2022-06-02
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汽車級IGBT/SiC模塊驅動器應該怎么用？首款唯一車硅認證柵極驅動板簡化設計
就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天，Power Integrations（PI）在線上舉辦新品溝通會，PI資深技術培訓經理Jason Yan講解了一個汽車級IGBT/SiC（碳化硅）模塊驅動器系列產品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅動板。
2022-06-02
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Tvj - IGBT元宇宙中的結溫
在IGBT應用中，結溫是經常使用的一個參數，大部分讀者應該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關系呢？
2022-05-25
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IGBT門極驅動到底要不要負壓
先說結論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現象來看這個問題。
2022-05-23
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挑選一款合適的汽車級IGBT模塊： 解讀國內首部車用IGBT標準
隨著新能源汽車行業的蓬勃發展，越來越多的IGBT產品應運而生。汽車零部件時常暴露在惡劣的氣候條件下，因此必須保證汽車級產品在高溫、高濕、高壓條件下可靠運行。如何選擇合適的汽車級半導體器件，對于Tier1和OEM的產品可靠性及其成本至關重要。本文將從汽車行業的IGBT模塊環境試驗的要求出發，介紹汽車級功率半導體器件IGBT模塊需要滿足的條件。
2022-05-09
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東芝低功耗IGBT持續助力家電市場
IGBT因其優異的電氣屬性和性價比在業界被廣泛應用，特別是在工業控制領域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導體的家族分支，不僅融合了BJT和MOSFET的優點，還進一步提升了控制速度和精度，同時具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。而今天要給大家介紹的是由東芝半導體新研發的具備低功耗節能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家電產品能耗進一步降低。
2022-04-30
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IGBT驅動電流行為綜述
】IGBT是一種電壓驅動的電子開關，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導通，實際器件的驅動是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅動電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。
2022-04-30
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多功能預驅動器，為中高電流驅動器提供全方位保護
關于IGBT／MOSFET預驅動器，相信做電機驅動或者大功率設備驅動的工程師都會有所了解，所謂預驅動器，其實就是將微控制器與IGBT／MOSFET隔離開來，為負載及驅動器提供保護，并為微控制器（MCU）提供診斷信息。這種預驅動器一般會使用運放，MOS或者三極管等搭建，在實現保護驅動器和微控制器的前提之下，還實現了將MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）與基準電壓做比較，實現狀態診斷；那么大家知道光耦其實還可以做IGBT／MOSFET的預驅動器么？東芝針對IGBT／MOSFET產品以及光耦應用技術深耕多年，這款針對中高電流IGBT／MOSFET的預驅動器——TLP5231，就是東芝半導體系列產品線的補充和完善。
2022-04-27
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如何正確理解功率循環曲線
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業的廣泛關注，特別是風力發電、軌道交通等應用領域。IGBT的可靠性通常用以芯片結溫變化為衡量目標的功率循環曲線和基板溫度變化為衡量目標的溫度循環曲線來評估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會引起結合點的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分，綁定工具的形狀、綁定參數以及芯片的金屬化焊接等因素都會影響IGBT的可靠性。
2022-04-20
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。
2022-04-01
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