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英飛凌650V混合SiC IGBT單管助力戶用光伏逆變器提頻增效
戶用光伏每年裝機都在高速增長，單相光伏逆變器功率范圍基本在3~10kW，系統電路示意框圖如圖1所示，從光伏電池板經過逆變器中DC/DC，DC/AC電路實現綠電的能量轉換，英飛凌能提供一站式半導體解決方案包括650V功率器件、無核變壓器CT技術驅動IC、主控制MCU和電源管理芯片等。
2022-03-01
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集成驅動器！原來，GaN電源系統性能升級的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術風頭正勁。與傳統的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數小、抗輻射能力強……因此可實現更高的功率密度、更高的電壓驅動能力、更快的開關頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應用領域，不斷在向傳統的硅基IGBT和MOSFET器件發起強勁的沖擊。
2022-02-17
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一文弄懂IGBT驅動
要了解什么是IGBT驅動，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機驅動是IGBT的主要應用領域之一。
2022-02-11
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SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯連接、并聯連接等多種使用方法。
2022-02-11
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擔心柵極驅動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導體正走向最理想的狀態，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態電壓耦合到柵極驅動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅動器的信號和電源隔離還會受到應力影響。本文將探討這些影響、解釋如何減輕影響，以及評估應力和局部放電（PD）帶來的損傷的實驗結果。
2022-01-27
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發展的春天。
2022-01-26
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大功率二極管晶閘管知識連載——熱特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2022-01-26
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IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？
我們常常被告誡：實際應用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學并不死心：如果我只超了一點點呢，1210V就會擊穿嗎？如果只是一個非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
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功率半導體冷知識：IGBT短路結溫和次數
英飛凌IGBT模塊開關狀態下最高工作結溫一般是150度，而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。那么IGBT模塊一輩子都可以生活在這樣的舒適區享受人生嗎？
2021-12-28
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大功率二極管晶閘管知識連載——保護
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2021-12-25
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大功率二極管晶閘管知識連載——控制特性
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2021-12-22
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大功率二極管晶閘管知識連載——損耗
功率二極管晶閘管廣泛應用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態開關，SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內容摘來自英飛凌《雙極性半導體技術信息》。
2021-12-09
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