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力科公司信號完整性專家Eric博士免費網絡在線研討會
—如何像讀書一樣來讀S參數：快速挖掘埋藏于S參數黑盒模型中的關鍵信息S參數已經成為描述互連電氣特性的工業標準。由于在一些電路仿真中，我們不需要知道S參數的一些內在屬性，因此S參數被稱為黑盒模型。事實上，大部分工程師避免去S參數中的一些真實的數據信息的真實原因是由于他們常常會感覺到非?；煜?，因為S參數常常顯示在頻域中，包含了大量的隱藏信息。
2011-09-12
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市調機構認為2011下半年半導體市場仍有些許樂觀跡象
由分析師BillJewell創立的顧問機構SemiconductorIntelligence指出，2011下半年電子產業景氣有些許樂觀跡象，但該機構仍將2011年晶片市場成長率預測值，由原先的9%下修為4%。
2011-09-09
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全球設備市場需求萎縮 科技廠縮手投資
面對2011年下半旺季不旺市況，盡管臺積電僅微幅下修年度資本支出5%，保持約74億美元水準，聯電則維持先前產能擴充計劃18億美元金額不變，然隨著越來越多國內、外科技業者陸續向下調整2011、2012年資本支出預算，使得6日參加SEMICON Taiwan展的國內、外設備廠，紛對于2012年景氣及營運表達保守看法。
2011-09-09
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Xtrinsic系列：飛思卡爾推出高性能高可靠傳感器用于智能電子終端
近幾年來，消費電子領域的發展日新月異。短短幾年時間，平板電腦、智能手機及其他智能終端產品演繹了從出現到漸趨普及的過程。消費電子產品功能日趨豐富及智能化，諸如重力感應、手勢識別等功能幾年前還可作為產品賣點大賺眼球，而今則幾乎成為智能終端產品標準配置。而這些功能得以實現，MEMS傳感技術功不可沒
2011-09-02
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TE推出高性能新型軟電纜用于電動車充電
TE Connectivity（TE）, 原Tyco Electronics, 推出專為電動汽車充電而研發的兩款電纜。這兩款電纜產品是針對高機械性能及高溫度性能要求而設計的，這兩種版本包括：帶有PVC護套以供室內使用的電動汽車充電電纜以及帶有TPE護套的用于戶外和極端溫度條件的特軟低溫電纜。這兩種電纜的發布，意味著TE能夠在全球范圍內針對不同的地理環境要求而提供相應的電纜產品。
2011-09-02
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L3GD20：意法半導體發布采用MEMS技術的3軸陀螺儀新產品
意法合資公司意法半導體（STMicroelectronics）發布了采用MEMS技術的數字輸出3軸陀螺儀IC新產品“L3GD20”。為在1年半前發布的陀螺儀IC“L3G4200D”的改良版。
2011-09-01
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LD7271：通嘉新推出內建MOS智能型閃光燈電容充電器適用數字相機
數字相機一般配備的閃光燈, 隨著數字相機精巧化, 也不可避免朝向更精簡的設計, 在尺寸外觀上輜銖必較。通嘉新款閃光燈充電IC便是一款非常精巧而兼具多種功能的產品。 具有絕佳充電運算能加速充電效率。0.6A~1.3A間具有八段峰值電流恒流可調節,只需利用CHARGE 腳位, 依所需條件設定, 是非常理想的設計。
2011-08-31
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持續高漲的消費電子市場給SMT廠商帶來商機
在全球范圍發生多重債務危機和經濟動蕩的大背景下，手機市場尤其是智能手機市場發展勢態依然良好。據Strategy Analytics最新研究顯示，2011年第二季度全球手機出貨量比去年同期增長13%，達到3.61億臺；而2011年第二季度全球智能手機出貨量比去年同期增長76%，達到1.1億臺，創歷史新高。國內調研公司數據顯示，2011年第二季度國內智能手機銷售總量達1681萬部，環比增長7.5%
2011-08-31
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2013年全球半導體元件銷售額或超3000億美元
EelctroIQ發布了最新的半導體元件(IC)銷售額預測，而早在1990年代中期，半導體行業就流傳著類似的預測。該機構最新預計，IC 銷售額在2013年將超過3000億美元。在1995年，IC市場銷售額首次超過1000億美元，到2005年達到2000億美元。IC銷售額從1000 億美元到2000億美元花費了10年的時間，而從2000億美元到3000億美元將只需8年的時間?！?/p>
2011-08-30
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ASSP XOTM系列：Pericom推出特定應用電壓控制的晶體振蕩器
全球領先的高速連接、時鐘和信號調節芯片及晶振解決方案供應商百利通半導體公司（Pericom，納斯達克股票市場代碼：PSEM）日前宣布：擴展其特定應用晶體振蕩器（ASSP XOTM）系列，推出一條新的ASSP電壓控制晶體振蕩器（VCXO）產品線。這些解決方案以滿足日益增加的通信基礎設施、寬帶接入和以太網市場需要為目標，為各主流頻點提供了可以即刻使用的方案。
2011-08-29
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同步整流以及電荷保持驅動技術
目前,越來越多的IC芯片都需要低電壓供電。隨著功率變換器輸出電壓的降低,整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器達到很高的效率,必須降低整流損耗。我們采用低導通電阻的MOSFET 進行整流,這是提高變換器效率的一種有效途徑。
2011-08-29
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單正向柵驅動IGBT簡化驅動電路
為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅動器，因為這些IC是專為接地操作而設計──與控制電路相同。因此，研發有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅動器便最為理想了。這樣的器件已經開發出來了。器件與負偏置柵驅動IGBT進行性能表現的比較測試，在高dV/dt條件下得出優越的測試結果。
2011-08-29
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