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南方芯源在西安成立研發中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發起設立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術應用三個方面的產品研發。該中心的成立將進一步提高Samwin產品的技術先進度。
2008-08-20
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Molex推出新型microSD卡連接器
Molex推出新系列的microSD卡連接器，提供附加功能在移動和袖珍型設備中幫助控制卡的彈出。專為世界上最小的記憶卡存儲系統microSD而設計，Molex的microSD卡連接器具有兩種外形高度，解決了在彈簧式卡彈出系統中可能出現的卡飛出和卡卡住的問題。
2008-08-20
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298D系列：Vishay便攜應用固體鉭芯片電容器系列小封裝產品
Vishay宣布擴展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術以擴展產品系列，現已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。
2008-08-15
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安森美半導體ESD保護二極管榮獲《Electronic Products》2007“年度產品”獎
安森美半導體的ESD9L5.0S ESD保護二極管榮獲美國《Electronic Products》雜志頒發2007“年度產品”獎。產品評選包括技術上的重大進展、應用、設計創新或性價比有出色表現。
2008-08-04
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P10L：Vishay Sfernice微型面板電位計
Vishay宣布推出具有長久使用壽命、溫度系數低至 ±150 ppm/°C 且具有 9.6mm 小型尺寸的新型低成本面板電位計。
2008-07-11
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業內最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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DG系列：Vishay八款高精度儀表應用模擬多路復用器與開關
日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復用器與開關。這些產品還是同類器件中首批除標準 TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
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Vishay的電點火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯欄目第18屆年度創新獎
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎典禮上，其電點火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯欄目的EDN創新獎。
2008-04-24
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Si8441DB/Si8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET
日前，為滿足對便攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，該器件采用 MICRO FOOT芯片級封裝，具有超薄厚度及最低導通電阻。
2008-04-09
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Si7192DP：Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件，該器件具有破紀錄的導通電阻規格及導通電阻與柵極電荷乘積。
2008-03-26
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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