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滿足嚴格效率和性能規格且尺寸要小的電源，需要搭配什么樣的控制器？
高性能通信、服務器和計算系統中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負載電流有時候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴格的效率和性能規格，且通常具備相對較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈活解決方案。
2023-02-06
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貿澤與Littelfuse聯手推出全新內容專題 為工業安全提供關鍵資源
2023年2月3日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Littelfuse合作推出新的內容專題, 提供一系列關于弧閃和觸電保護的信息資源。這個全新內容專題包括一系列文章、白皮書、傳單、案例研究、視頻和網絡廣播，為設計人員和制造商提供防止受傷和觸電所需的知識。
2023-02-03
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
在相當長的一段時間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優于標準硅基器件的多種優勢。
2023-02-03
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貿澤電子分銷豐富多樣的Samtec產品系列
提供超豐富半導體和電子元器件?的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 是Samtec解決方案的全球授權分銷商，Samtec是電子互連解決方案的知名供應商。貿澤庫存有超過25,000個Samtec產品系列（超過400,000種開放訂購），并且持續上新，不斷加入新的Samtec解決方案和產品。
2023-02-01
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貿澤電子2022年新增超55家供應商 進一步擴大產品分銷陣容
2023年1月30日 – 提供超豐富半導體和電子元器件的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 于2022年新增59家供應商，產品分銷陣容進一步擴大，為廣大設計工程師與采購人員提供了更加多元化的選擇。貿澤為客戶提供各類先進的技術，以幫助設計人員避免代價高昂的重新設計、生產延誤甚至項目終止。
2023-02-01
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安森美與大眾汽車就下一代電動汽車的SiC技術達成戰略協議
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰略協議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統優化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。
2023-02-01
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還在為低電壓上電時的毛刺苦惱？這顆IC能搞定
有經驗的工程師都知道，系統最危險的時刻之一是通電的時候。根據時間常數以及電源軌達到標稱值的順利程度和速度，不同的 IC 和系統零件可能會開啟、鎖定或以不正確的模式開啟，因為這些器件試圖相互配合工作。面臨的更大挑戰是，上電時與時序和壓擺率相關的 IC 性能可能是溫度、相關電容器、機械應力、老化和其他因素的函數。
2023-02-01
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通過轉移到SiC技術來獲得暖通空調更佳的SEER等級
由于能源價格在過去12個月中大幅攀升，無論是企業還是消費者都開始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021[1]期間，天然氣價格上漲了47%。以德國為例，六分之一的發電量依賴天然氣。而在美國，五分之二的電力來自于天然氣發電。在歐盟[2] ，各種空間和工業供暖消耗了約75%的能源，而制冷需求則占美國總電能消耗的10%[3]，因此，對更高效熱泵和空調解決方案的需求日益受到關注。
2023-01-31
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通過柵極驅動器提高開關電源功率密度
像許多電子領域一樣，進步持續發生。目前，在 3.3kW 開關電源 (SMPS)中，產品效率高達 98%，1U結構尺寸，其功率密度可達 100 W/in3。這之所以可以實現是因為我們在 圖騰柱 PFC 級中明智地選擇了超結 (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且還采用了氮化鎵 (GaN) 功率開關（例如 CoolGaN?）用于400V LLC 應用。PFC 和 LLC 數字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先進的柵極驅動器 IC（如EiceDRIVER?）在實現高性能方面發揮著重要作用。
2023-01-29
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優化汽車應用的駕駛循環仿真
碳化硅（SiC）已經改變了許多行業的電力傳輸，尤其是電動汽車（EV）充電和車載功率轉換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對 Si 與 IGBT 等更傳統的技術，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統效率并且準確的預測性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓撲、系統和應用。
2023-01-28
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簡化隔離式軟件可配置I/O通道設計的高集成度、系統級方法
本文介紹一種軟件可配置輸入/輸出(I/O)器件及其專用隔離電源和數據解決方案，該解決方案有助于應對系統級工業應用的設計挑戰。本文闡述了在設計單個IC時從系統級角度進行思考的優勢，并重點討論了建議解決方案的功耗優化功能。
2023-01-27
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。
2023-01-27
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