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日本地震影響電子元件供應與價格
日本地震與海嘯可能導致某些電子元件嚴重短缺，進而推動這些元件的價格大幅上漲。雖然目前幾乎沒有關于電子工廠實際損失的報道，但運輸與電力設施受到破壞將導致供應中斷，造成元件供應短缺和價格上漲。受到影響的元件將包括NAND閃存、DRAM、微控制器、標準邏輯、液晶顯示器(LCD)面板、LCD元件和材料。
2011-03-18
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F-RAM會帶來RFID標簽的革命嗎？
目前市場上的存儲器種類非常多，主要有易失性的RAM和DRAM、非易失性的EEPROM、ROM、EPROM、NOR、NAND閃存、鐵電存儲器等。世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron的MaxArias?系列無線存儲器將非易失性F-RAM存儲器技術的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業標準無線存取功能相結合，使創新型的數據采集能力應用更廣泛的領域。
2011-03-01
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iSuppli預計今年平板電腦出貨量將達5760萬臺
市場研究公司iSuppli預計，平板電腦DRAM內存的出貨量今年將從去年的3780萬GB增長至3.53億GB。這一數字將在2012年達到 10億GB，2014年達到35億GB。
2011-02-08
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2010年整體平板電腦的出貨量預估為1500萬臺
根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAM eX change的調查，由于iPad帶動平板電腦的風潮，許多PC廠商與手機廠商在下半年加速在平板電腦的開發與上市計畫。為了與iPad競爭，其他廠商的平板電腦設計強調更強大的處理器效能、更大的儲存空間與開放性的軟硬體支援(例如提供 USB埠與支援Flash播放等功能)，企圖結合GoogleAndroid來走出另外一條路。
2010-12-31
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VLSI提高半導體預測 但CEO們仍是謹慎的樂觀
VLSI提高IC預測，但是該公司看到雖然很多產品供不應求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。
2010-08-05
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通孔刻蝕工藝的檢測技術研究
隨著半導體制造技術推進到更加先進的深亞微米技術，半導體金屬布線的層數越來越多，相應的通孔刻蝕工藝也越多，并且伴隨著通孔的尺寸隨著器件設計尺寸逐步縮小。以DRAM制造為例，存儲量由4M發展到512M時，設計規則由1μm縮小到0.16μm，其中通孔的尺寸也從0.8μm下降到了0.25μm。通孔尺寸越小，刻蝕的難度也越來越大，如果刻蝕不到位，就可能出現金屬布線間的開路，直接導致器件失效。那么蝕刻后的監測就變的至關重要，本文簡介通孔刻蝕工藝的檢測技術研究，并對比了不同檢測設備的檢測結果
2010-06-22
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2010年半導體設備產業將勁揚113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術升級，將帶動 2010年半導體資本設備市場的成長。對40奈米和45奈米設備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。
2010-06-21
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DRAM產業回升，以勝利姿態揮別2009
據iSuppli公司，2009年DRAM市場搖擺不定，從一個極端到另一個極端，但第四季度克服了年初時的疲弱局面，高調結束全年，自2007年以來首次實現盈利。
2010-05-05
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移動存儲整合突顯移動平臺越來越重要
據iSuppli公司，最近DRAM供應商爾必達和美光的收購行動，突顯供應商越來越重視打造完整的內存產品組合，以面向快速增長的智能手機市場。
2010-03-26
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DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例
SDRAM時鐘分析案例:串聯匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略，在原理圖設計中，需要加上串聯的電阻和并聯的電容，如果MCU輸出的時鐘驅動能力弱，可以不使用并聯的電容或者換用較小的電阻。準確的測量內存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時阻抗太小，不能準確的測量波形，需要使用高帶寬的有源探頭。
2009-12-18
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韓國兩大半導體巨頭占據全球市場大半江山
iSuppli發布報告稱，今年7-9月期全球DRAM市場上，韓國三星電子、海力士半導體兩大巨頭合計銷售額共占全球市場總銷售額的57.2%；再次刷新2季度55.8%歷史最高記錄，與1年前的49.3%相比，則提升了7.9個百分點之多，顯現出韓國兩大半導體巨頭的全球市場份額急劇上升的強勁勢頭。
2009-12-02
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電動車可望迅速普及 重量成本等是關鍵
集邦科技(DRAMeXchange)表示，電動車目前價格仍高，影響市場接受度，若克服成本過高以及電池過熱、供電持續力穩定的疑慮，再加上廣設充電站，電動車可望迅速普及。
2009-10-15
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