【導讀】QR模式也叫反激準諧振模式，其實是DCM的一種，是指當磁芯能量完全釋放完畢后，變壓器的初級電感和MOS的結電容進行諧振，MOS結電容放電到最低值時，初級的開關管導通。此模式是集DCM的優點及大部分缺點于一起，只是把其中的一項缺點做了優化從而變成了優點。就是加了谷底檢測功能，改善MOS的開通損耗，從而改善效率。
推薦閱讀：
特別推薦
- 車輛區域控制架構關鍵技術——趨勢篇
- 元器件江湖群英會！西部電博會暗藏國產替代新戰局
- 艾邁斯歐司朗OSP協議，用光解鎖座艙照明交互新維度
- 薄膜電容選型指南：解鎖高頻與長壽命的核心優勢
- ST&高通ST67W611M1模塊量產：Siana案例驗證交鑰匙方案提速無線開發
- 如何根據不同應用場景更精準地選擇薄膜電容？
- 如何判斷薄膜電容的質量好壞？從參數到實測的全面指南
技術文章更多>>
- 薄膜電容在新能源領域的未來發展趨勢：技術革新與市場機遇
- 薄膜電容使用指南：從安裝到維護的七大關鍵注意事項
- 如何判斷薄膜電容的質量好壞？從參數到實測的全面指南
- 如何根據不同應用場景更精準地選擇薄膜電容？
- ST&高通ST67W611M1模塊量產：Siana案例驗證交鑰匙方案提速無線開發
技術白皮書下載更多>>
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
OGS
OLED
OLED面板
OmniVision
Omron
OnSemi
PI
PLC
Premier Farnell
Recom
RF
RF/微波IC
RFID
rfid
RF連接器
RF模塊
RS
Rubycon
SATA連接器
SD連接器
SII
SIM卡連接器
SMT設備
SMU
SOC
SPANSION
SRAM
SSD
ST
ST-ERICSSON
