-
1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳，助力提升變頻器系統性能（上）
本文介紹了針對電機驅動進行優化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態損耗，并具備高可控性。而二極管因為優化了場截止設計，其振蕩發生的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過將功率模塊的最高結溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2023-05-04
-
為什么IGBT是適合斬波應用的器件
斬波是電力電子控制中的一項變流技術，其實質是直流控制的脈寬調制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內饋調速控制中占有極為重要的地位，它不僅關系到調速的技術性能，而且直接影響設備的運行安全和可靠性，因此，如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。
2023-04-29
-
快速開關TRENCHSTOP 5 IGBT
緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開發者一直追求的目標?，F在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(PF)。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這里，功率因數校正(PFC)是強制性的，對于PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價比的開關器件。
2023-04-28
-
超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優化現代設計。
2023-04-24
-
SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家帶來更多有價值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。
2023-04-24
-
如何通過優化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰
在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對熱性能的影響，以及如何通過優化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響?，F在，讓我們來看看我們如何能夠改善電氣性能。同樣，我們將以采用TRENCHSTOP? IGBT 7技術的新型1200V、600A EconoDUAL? 3模塊為例，該模塊針對通用驅動（GPD）、商業、建筑和農業車輛（CAV）、不間斷電源（UPS）和太陽能等應用進行了優化。
2023-04-10
-
如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰
尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。
2023-04-06
-
為什么逆導型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路
對于功率因數校正（PFC），通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調、加熱、通風和空調（HVAC）以及熱泵。
2023-02-20
-
一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算
與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
-
具有集成反激式控制器的智能柵極驅動光耦合器
通過集成反激式控制器，ACPL-302J 器件允許在器件旁邊放置更少的分立元件和更小的變壓器和電容器，從而減少設計的整體尺寸并限度地減少電磁干擾 (EMI) 和 IGBT 通道之間的噪聲耦合。通過減少設計中的這些元素，設計人員可以實現顯著的成本節約。
2023-02-17
-
MOS管開通過程的米勒效應及應對措施
在現在使用的MOS和IGBT等開關電源應用中，所需要面對一個常見的問題 — 米勒效應，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應的成因、表現、危害及應對方法。
2023-02-10
-
如何手動計算IGBT的損耗
現今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計算都可以使用工具自動完成，節省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學的小伙伴總想知道工作機理。其實基礎都是大家學過的基本高等數學知識。今天作者就幫大家打開這個黑盒子，詳細介紹一下IGBT損耗計算方法同時一起復習一下高等數學知識。
2023-02-07
- 國產芯片與系統深度融合！兆易創新聯袂普華軟件破局汽車電子
- 揭秘未來勞動力：貿澤與Molex新電子書解析機器人技術變革
- 臺積電大陸芯片生產遇阻，美國豁免撤銷加速國產替代進程
- 2025年Q2全球DRAM營收突破316億美元，創近年單季最高漲幅
- 200W開關功率：Pickering 600系列繼電器通吃高壓高能場景
- 超越傳統：空心線圈如何重塑RF與自動化領域——工程師必備選型指南
- 智鏈PCB 數聚大灣區丨廣東廣東制造業數字化轉型50人會聯合金百澤科技舉辦第十三期圓桌會
- 智鏈PCB 數聚大灣區丨廣東廣東制造業數字化轉型50人會聯合金百澤科技舉辦第十三期圓桌會
- 智鏈PCB 數聚大灣區 造物數科受邀出席廣東制造業數字化轉型50人會第十三期圓桌會議
- “奧運級”科技實力獲全球認證！TCL實業榮獲三項IFA 2025大獎
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
